Gate oxide — The gate oxide is the third region of the MOSFET between the source and drain. It is a thin layer of pure, defect free, 5 200 nm thick thermally grown oxide. It serves as the dielectric layer so that the gate can sustain as high as 1 to 5 MV/cm… … Wikipedia
grille en aluminium — aliumininė užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. aluminum gate vok. Aluminium Gate, n rus. алюминиевый затвор, m pranc. grille en aluminium, f … Radioelektronikos terminų žodynas
aluminum gate — aliumininė užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. aluminum gate vok. Aluminium Gate, n rus. алюминиевый затвор, m pranc. grille en aluminium, f … Radioelektronikos terminų žodynas
Dual-Gate-MOSFET — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
Golden Gate Bridge — Pour les articles homonymes, voir Golden Gate (homonymie). Golden Gate Bridge Pays … Wikipédia en Français
Meridian Gate, Cardiff — Meridian Gate Meridian Gate General information Type Residential and Hotel Location … Wikipedia
Black Gate (capacitor) — Black Gate is the name of a brand of audio grade electrolytic capacitor made in Japan. They have acquired a reputation for very high quality for use in the signal path, and power supplies, of audio circuitry.The quality of capacitors may vary… … Wikipedia
aliumininė užtūra — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. aluminum gate vok. Aluminium Gate, n rus. алюминиевый затвор, m pranc. grille en aluminium, f … Radioelektronikos terminų žodynas
алюминиевый затвор — aliumininė užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. aluminum gate vok. Aluminium Gate, n rus. алюминиевый затвор, m pranc. grille en aluminium, f … Radioelektronikos terminų žodynas
Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) gehört zu den Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate, auch als IGFET bezeichnet. Er ist den… … Deutsch Wikipedia